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在芯片封裝保護(hù)中,圍壩填充膠工藝具體是如何應(yīng)用的

發(fā)布時(shí)間:2025-12-17 14:38:38 責(zé)任編輯:漢思新材料閱讀:145

圍壩填充膠Dam & Fill,也稱 Dam-and-Fill 或圍堰填充)工藝是芯片封裝中一種常見的底部填充(Underfill)或局部保護(hù)技術(shù),主要用于對(duì)芯片、焊點(diǎn)或敏感區(qū)域提供機(jī)械支撐、熱應(yīng)力緩沖以及環(huán)境防護(hù)(如防潮、防塵、抗化學(xué)腐蝕等)。該工藝特別適用于需要局部加固但又不能整體灌封的場合,比如CSPChip Scale Package)、BGABall Grid Array)、Flip Chip(倒裝芯片)等先進(jìn)封裝形。 


 

 


一、圍壩填充膠工藝的基本原理

 

圍壩填充膠工藝分為兩個(gè)主要步驟:

 

圍壩(Dam):

使用高粘度、快固化的膠水(通常為環(huán)氧樹脂類)在芯片周圍或特定區(qū)域涂布一圈“圍壩”,形成一道物理屏障。這道圍壩的作用是:防止后續(xù)填充膠溢出到不需要保護(hù)的區(qū)域;控制填充膠的流動(dòng)范圍;提供一定的結(jié)構(gòu)支撐。

 

填充(Fill):

在圍壩形成的封閉區(qū)域內(nèi)注入低粘度、流動(dòng)性好的填充膠(通常是毛細(xì)作用型底部填充膠),使其通過毛細(xì)作用滲入芯片與基板之間的間隙,包裹焊球/凸點(diǎn),固化后形成牢固連接。

 

 

二、具體應(yīng)用場景

 

Flip Chip 封裝:

倒裝芯片的焊點(diǎn)非常微小且密集,容易因熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配產(chǎn)生應(yīng)力開裂。圍壩填充可有效緩解熱機(jī)械應(yīng)力,提升可靠性。

 

高可靠性電子產(chǎn)品:

如汽車電子、航空航天、工業(yè)控制等領(lǐng)域,對(duì)封裝可靠性要求極高,圍壩填充可增強(qiáng)抗振動(dòng)、抗沖擊能力。

 

異質(zhì)集成與2.5D/3D封裝:

在多芯片堆疊或硅中介層(Interposer)結(jié)構(gòu)中,圍壩填充可用于局部區(qū)域加固,避免全局灌封影響散熱或信號(hào)完整性。

 

維修與返工:

對(duì)已失效的BGA器件進(jìn)行返修后,可通過圍壩填充增強(qiáng)其機(jī)械強(qiáng)度和長期可靠性。

 

三、工藝流程簡述

 

表面清潔與預(yù)處理:確?;搴托酒砻鏌o污染,提高膠粘附力。

點(diǎn)膠形成圍壩:使用精密點(diǎn)膠設(shè)備(如噴射閥、螺桿泵)沿芯片邊緣施加圍壩膠。

圍壩膠初步固化(可選):部分工藝會(huì)先進(jìn)行UV或熱預(yù)固化,以穩(wěn)定圍壩形狀。

注入填充膠:在圍壩內(nèi)注入低粘度填充膠,依靠毛細(xì)作用或壓力輔助填充間隙。

整體固化:通過熱固化或UV+熱雙重固化方式使膠體完全交聯(lián)硬化。

檢測與返修:通過AOI、X-ray或超聲掃描檢查填充是否完整、有無氣泡或空洞。

 

四、材料選擇要點(diǎn)

 

圍壩膠:高粘度(>10,000 cP)、觸變性好、快速定位、低收縮率。

填充膠:低粘度(<500 cP)、良好流動(dòng)性、低吸濕性、匹配CTE、高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)。

兩者需具備良好的兼容性,避免界面分層。

 

五、優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

 

優(yōu)勢:

精準(zhǔn)控制膠體分布,節(jié)省材料;

提升封裝可靠性,延長產(chǎn)品壽命;

適用于復(fù)雜布局和高密度互連。

 

挑戰(zhàn):

工藝窗口窄,對(duì)點(diǎn)膠精度要求高;

圍壩高度與寬度需優(yōu)化,否則影響填充效果;

氣泡、空洞、膠體溢出等缺陷風(fēng)險(xiǎn)較高;

固化過程中的應(yīng)力管理需謹(jǐn)慎。

 

總結(jié)

圍壩填充膠工藝是一種兼顧可靠性與工藝靈活性的先進(jìn)封裝保護(hù)技術(shù),通過“先圍后填”的策略,在關(guān)鍵區(qū)域?qū)崿F(xiàn)精準(zhǔn)加固與密封。隨著先進(jìn)封裝向更小間距、更高集成度發(fā)展,該工藝在高端電子制造中的應(yīng)用將持續(xù)擴(kuò)大。




文章來源:漢思新材料






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